Для цитирования:
Роках А. Г., Стецюра С. В., Сердобинцев А. А., Жуков А. Г. О вторично-ионном фотоэффекте // Известия вузов. ПНД. 2006. Т. 14, вып. 1. С. 113-119. DOI: 10.18500/0869-6632-2006-14-1-113-119
О вторично-ионном фотоэффекте
Показано, что в процессе ионной бомбардировки освещение может изменять выход вторичных ионов из фоточувствительных полупроводников (вторично-ионный фотоэффект). Дана классификация наблюдаемого явления по реакции на освещение: определены нормальный и аномальный вторично-ионные фотоэффекты. Нормальный фотоэффект проявляется в уменьшении выхода положительных вторичных ионов кадмия при освещении мишени CdS-PbS в результате уменьшения работы выхода электрона. Аномальный эффект заключается в увеличении при освещении выхода положительных вторичных ионов свинца из той же мишени (до 1200% по отношению к темновому). Предложено объяснение аномального эффекта, основанное на увеличении при освещении скорости рекомбинации неравновесных носителей заряда в узкозонных включениях. Приведена аппроксимация зависимости выхода ионов от изменения электронной работы выхода на основе предположения, что изменение определяется смещением электронного квази-уровня Ферми в результате освещения.
- Гладун А.Д., Барашев П.П. Внешний многоквантовый эффект // УФН. 1969. Т. 98, вып. 3. С. 493.
- Щемелев В.Н., Савинов Е.П., Щемелев В.В. Внешний фотоэффект эффективных фотокатодов в мягкой рентгеновской области спектра // ФТТ. 1997. Т. 39, вып. 9.
- Роках А.Г., Стецюра С.В., Жуков А.Г., Сердобинцев А.А. Исследование особенностей ионного травления гетерофазных полупроводников при освещении белым светом // Письма в ЖТФ. 2003. Т. 29, вып. 2. С. 23.
- Rokakh A.G., Zhukov A.G., Stetsura S.V. and Serdobintsev A. A. Secondary-ion mass spectrometry of photosensitive heterophase semiconductor // Nuclear Inst. and Methods in Physics Research. B. 2004. Vol. 226, No 4. P. 595.
- Calawa A.R., Mroczkowski I.A., Harman T.C. Preparation and properties of Pb1−xCdxS// J. Electron. Mater. 1972. Vol. 1. P. 191.
- Распыление под действием бомбардировки частицами / Под ред. Р. Бериша и К. Виттмака. Пер. с англ. М.: Мир, 1998. 552 с.
- Yu M. L., Lang N. D. Direct evidence of electron tunneling on the ionization of sputtered atoms // Phys. Rev. Lett. 1983. Vol. 50. P. 127.
- Bleil C.E., Snejder D.D. and Sihvonen Y.T. Bombardment of Cadmium Sulfide crystals with 30-60 keV electrons // Phys. Rev. 1958. Vol. 111, No6. P. 1522.
- Роках А. Г. Варизонная модель полупроводника, стойкого к деградации // Письма в ЖТФ. 1984. Т. 10, No13. С. 820.
- Роках А. Г., Стецюра С. В. Влияние неоднородностей на фотоэлектрические характеристики гетерофазных пленок системы CdSxSe1−x − PbS// Изв. АН СССР. Неорг. мат. 1997. Т. 33, №2. С. 198.
- 1428 просмотров