О ВТОРИЧНО-ИОННОМ ФОТОЭФФЕКТЕ

Показано, что в процессе ионной бомбардировки освещение может изменять выход вторичных ионов из фоточувствительных полупроводников (вторично-ионный фотоэффект). Дана классификация наблюдаемого явления по реакции на освещение: определены нормальный и аномальный вторично-ионные фотоэффекты. Нормальный фотоэффект проявляется в уменьшении выхода положительных вторичных ионов кадмия при освещении мишени CdS-PbS в результате уменьшения работы выхода электрона. Аномальный эффект заключается в увеличении при освещении выхода положительных вторичных ионов свинца из той же мишени (до 1200% по отношению к темновому). Предложено объяснение аномального эффекта, основанное на увеличении при освещении скорости рекомбинации неравновесных носителей заряда в узкозонных включениях. Приведена аппроксимация зависимости выхода ионов от изменения электронной работы выхода на основе предположения, что изменение определяется смещением электронного квази-уровня Ферми в результате освещения.

Ключевые слова: 
-
Литература

1. Гладун А.Д., Барашев П.П. Внешний многоквантовый эффект // УФН. 1969. Т. 98, вып. 3. С. 493.

2. Щемелев В.Н., Савинов Е.П., Щемелев В.В. Внешний фотоэффект эффективных фотокатодов в мягкой рентгеновской области спектра // ФТТ. 1997. Т. 39, вып. 9.

3. Роках А.Г., Стецюра С.В., Жуков А.Г., Сердобинцев А.А. Исследование особенностей ионного травления гетерофазных полупроводников при освещении белым светом // Письма в ЖТФ. 2003. Т. 29, вып. 2. С. 23.

4. Rokakh A.G., Zhukov A.G., Stetsura S.V. and Serdobintsev A. A. Secondary-ion mass spectrometry of photosensitive heterophase semiconductor // Nuclear Inst. and Methods in Physics Research. B. 2004. Vol. 226, No 4. P. 595.

5. Calawa A.R., Mroczkowski I.A., Harman T.C. Preparation and properties of Pb1−xCdxS// J. Electron. Mater. 1972. Vol. 1. P. 191.

6. Распыление под действием бомбардировки частицами / Под ред. Р. Бериша и К. Виттмака. Пер. с англ. М.: Мир, 1998. 552 с.

7. Yu M. L., Lang N. D. Direct evidence of electron tunneling on the ionization of sputtered atoms // Phys. Rev. Lett. 1983. Vol. 50. P. 127.

8. Bleil C.E., Snejder D.D. and Sihvonen Y.T. Bombardment of Cadmium Sulfide crystals with 30-60 keV electrons // Phys. Rev. 1958. Vol. 111, No6. P. 1522.

9. Роках А. Г. Варизонная модель полупроводника, стойкого к деградации // Письма в ЖТФ. 1984. Т. 10, No13. С. 820.

10. Роках А. Г., Стецюра С. В. Влияние неоднородностей на фотоэлектрические характеристики гетерофазных пленок системы CdSxSe1−x − PbS// Изв. АН СССР. Неорг. мат. 1997. Т. 33, No2. С. 198.

Статус: 
одобрено к публикации
Краткое содержание (PDF): 
Текст в формате PDF: