ПОЛЕВЫЕ ЭМИТТЕРЫ С ФУЛЛЕРЕНОВЫМИ ПОКРЫТИЯМИ И ИХ АКТИВИРОВКА

Разработаны и изучены методы создания острийных полевых эмиттеров с покрытиями из молекул фуллерена С60. Определены закономерности и механизмы формирования микроструктур на поверхности фуллереновых покрытий в процессе их создания, а также при термической и полевой их обработке. Созданы эмиттеры с фуллереновым покрытием, обеспечивающие стабильные токи до 150 мкА в статическом и до 1.5–2 мА в импульсном режимах с одиночного субмикронного острия. Изучено активирование полевых эмиттеров с фуллереновым покрытием потоками атомов и ионов калия. Установлено, что активированные потоком атомов калия эмиттеры быстро дезактивируются, и объяснен механизм дезактивировки. Показано, что долговременного снижения рабочих напряжений ориентировочно в два раза удается достичь, обрабатывая фуллереновое покрытие потоком ионов калия. Получены данные, свидетельствующие о том, что повышенная эффективность активировки эмиттеров потоком ионов калия может быть связана с формированием в фуллереновом покрытии эндоэдральных (K@C60) и/или экзоэдральных (C60@K) молекул.

Ключевые слова: 
-
Литература

1. Гуляев Ю.В., Григорьев Ю.А., Синицын Н.И. и др. // Материалы Всероссийской межвузовской конференции «Современные проблемы электроники и радиофизики СВЧ». Саратов: Изд. ГосУНЦ «Колледж», 1997. С. 90.

2. Шешин Е.П. Структура поверхности и автоэмиссионные свойства углеродных материалов. М.: Изд-во МФТИ Физматкнига, 2001. 287 с.

3. Бобков А.Ф., Давыдов Е.В., Зайцев С.В., Карпов А.В., Козодаев М.А., Николаева И.Н., Попов М.О., Скороходов Е.Н., Суворов А.П., Чеблуков Ю.Н. // ЖТФ. 2001. Т. 71. No 6. С. 95.

4. Елецкий А.В. // УФН. 2000. Т. 170. No 2. С. 113.

5. Yue G.Z., Qiu Q., Gao Bo, Cheng Y., Zhang J., Shimoda H., Chang S., Lu J.P., Zhou O. // Appl. Phys. Letters. 2002. Vol. 81. No 2. P. 355.

6. Fursey G.N., Novikov D.V., Dyuzhev G.A., Kotcheryzhenkov A.V., Vassiliev P.O. // Appl. Surf. Sci. 215(2003). P. 135.

7. Yoon Huh, Jeong Yong Lee, Cheol Jin Lee // Thin Solid Films. 475(2005). P. 267.

8. Milne W.I., Teo K.B.K., Amaratunga G.A.J., Legagneux P., Gangloff L., Shnell J.-P., Semet V., Thien Binh V, Groening O. // J. Mater. Chem. 2004. 14. P. 933.

9. Бочаров Г.С., Елецкий А.В. // ЖТФ. 2005. Т. 75. No 7. С. 126.

10. Tumareva T.A., Sominskii G.G. //Journal of Communications Technology and Electronics. 2000. Vol. 45. Suppl. 1. P. 110.

11. Тумарева Т.А., Соминский Г.Г., Ефремов А.А., Поляков А.С. // ЖТФ. 2002. Т. 72. No 2. С. 105.

12. Тумарева Т.А., Соминский Г.Г., Поляков А.С. // ЖТФ. 2002. Т. 72. No 2. С. 111.

13. Тумарева Т.А., Соминский Г.Г., Веселов А.А. // ЖТФ. 2004. Т. 74. No 7. С. 110.

14. Соминский Г.Г., Тумарева Т.А., Веселов А.А., Ефремов А.А. // В сб. XII зимняя школа-семинар по СВЧ электронике и радиофизике (Саратов, 28 января – 3 февраля 2003 г.). Материалы школы-семинара. Саратов: Изд. ГосУНЦ «Колледж», 2003. С. 31.

15. Логинов М.В., Шредник В.Н. // Письма в ЖТФ. 1998. Т. 24. No 11. С. 45.

16. Muller E.W.  ̈ // Zs. Naturforsch. 1955. Vol. 27. P. 290.

17. Melmed A.J., Muller E.W.  ̈ // Journal of Chem. Phys. 1958. Vol. 29. No 5. P. 1037.

18. Комар А.П., Комар А.А. // ЖТФ. 1961. Т. 31. No 2. С. 231.

19. Шишкин В.А. // Диссертация на соискание ученой степени кандидата физ.-мат. наук. Институт Электрохимии АН СССР (Москва). 1962.

Статус: 
одобрено к публикации
Краткое содержание (PDF): 
Текст в формате PDF: