Для цитирования:
Соминский Г. Г., Сезонов В. Е., Светлов И. А., Тумарева Т. А., Тарадаев Е. П. Разработка в СПбГПУ полевых эмиттеров для электронных устройств, работающих в техническом вакууме // Известия вузов. ПНД. 2012. Т. 20, вып. 3. С. 94-107. DOI: 10.18500/0869-6632-2012-20-3-94-107
Статья опубликована на условиях лицензии Creative Commons Attribution 4.0 International (CC-BY 4.0).
Полный текст в формате PDF(Ru):
(загрузок: 157)
Язык публикации:
русский
Рубрика:
Тип статьи:
Научная статья
УДК:
537.5
Разработка в СПбГПУ полевых эмиттеров для электронных устройств, работающих в техническом вакууме
Авторы:
Соминский Геннадий Гиршевич, Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
Сезонов Вячеслав Евгеньевич, Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
Светлов Илья Александрович, Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
Тумарева Татьяна Алексеевна, Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
Тарадаев Евгений Петрович, Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
Аннотация:
Описаны разработанные в СПбГПУ способы повышения долговечности полевых эмиттеров при работе их в техническом вакууме. Рассмотрены две возможности обеспечения долговечной работы эмиттеров: при использовании специальных защитных фуллереновых покрытий, а также при построении эмиттеров нового типа, в которых для получения автоэмиссии используются поля пятен на контакте материалов с разной работой выхода.
Ключевые слова:
Список источников:
- Тумарева Т.А., Соминский Г.Г. Разработка и совершенствование полевых эмиттеров на основе содержащих углерод материалов // Известия вузов. Прикладная нелинейная динамика. 2009. Т. 17, No 3. С. 17.
- Тумарева Т.А., Соминский Г.Г., Светлов И.А., Морозов А.Н. Активированные потоком ионов калия полевые эмиттеры с фуллереновыми покрытиями в сильных электрических полях // ЖТФ. 2008. Т. 78, No 11. С. 119.
- Соминский Г.Г., Сезонов В.Е., Тумарева Т.А. Полевая эмиссия электронов под действием полей пятен при наноразмерном контакте материалов с разной работой выхода // Труды международной научно-технической конференции «Нанотехнологии функциональных материалов (НФМ-10)», 22–24 сентября 2010, Санкт-Петербург. СПб.: Изд-во Политехнического университета, 2010. C. 622.
- Тумарева Т.А., Соминский Г.Г., Светлов И.А., Пантелеев И.С. Использование ионной обработки для повышения качества полевых эмиттеров с фуллереновыми покрытиями // ЖТФ. 2012. Т. 82, No 1. С. 114.
- Добрецов Л.Н., Гомоюнова М.В. Эмиссионная электроника. М.: «Наука». 1966. 564 с.
- Елецкий А.В. Эндоэдральные структуры // Успехи физических наук. 2000. Т. 170, No 2. С. 113.
- Kadish M.K., Ruoff R.S. Fullerenes. Canada: Published by John Wiley & Sons. 2000. P. 549.
- Соколов В.И., Станкевич И.В. Фуллерены – новые аллотропные формы углерода: структура, электронное строение и химические свойства // Успехи химии. 1993. Т. 62, No 5. С. 455.
- Макарова Т.Л., Захарова И.Б. Электронная структура фуллеренов и фуллери- тов. Санкт-Петербург: «Наука», 2001. 70 с.
- Ходорковский М.А., Мурашов С.В., Артамонова Т.О., Шахмин А.Л., Беляева А.А. Исследование энергии связи между молекулами фуллерена в тонких пленках // Письма в ЖТФ. 2004. Т. 30, No 4. С. 1.
Поступила в редакцию:
17.04.2012
Принята к публикации:
17.04.2012
Опубликована:
31.07.2012
Краткое содержание:
(загрузок: 95)
- 1657 просмотров