Известия высших учебных заведений

Прикладная нелинейная динамика

ISSN 0869-6632 (Online)
ISSN 2542-1905 (Print)


Образец для цитирования:

Фунтов А. А. Шумы в резистивном усилителе м-типа с «толстым» пучком //Изв. вузов. ПНД. 2018. Т. 26, вып. 2. С. 59-?. DOI: https://doi.org/10.18500/0869-6632-2018-26-2-59-68

Опубликована онлайн: 
30.04.2018
Язык публикации: 
русский

Шумы в резистивном усилителе м-типа с «толстым» пучком

Авторы: 
Фунтов Александр Андреевич, Саратовский национальный исследовательский государственный университет имени Н.Г. Чернышевского (СГУ)
Аннотация: 

Цель нашего исследования – изучение шумов в резистивном усилителе со скрещенными электрическим и магнитным полями с пучком конечной толщины. Если теория резистивного усилителя О-типа достаточно известна, хотя бы как классический пример прибора, использующего волны с отрицательной энергией, то резистивный усилитель М-типа, в котором тоже используются волны с отрицательной энергией, до недавнего времени почти не исследовался. Представляется интересным изучить шумы в приборе со скрещенными полями, тем более, что в ранних работах упоминалось о возможном малом уровне шума. Метод. Шумы изучаются на основе ранее построенной двумерной линейной адиабатической теории устройства с электронным потоком конечной толщины, который движется в скрещенных статических электрическом и магнитном полях (поток магнетронного типа) между двумя плоскими поверхностями с комплексной проводимостью. В такой системе шумы изучаются впервые. Рассмотрены случаи, когда обе поверхности металлические, и когда одна из поверхностей металлическая, а другая имеет активную, емкостную или индуктивную проводимость. Результаты и обсуждение. Показано, что наличие одной поверхности с комплексной проводимостью при второй металлической, не дает заметного преимущества ни в увеличении коэффициента усиления, ни в снижении коэффициента шума по сравнению со случаем обеих металлических поверхностей. Показано, что для получения наибольшего коэффициента усиления и наименьшего коэффициента шума нужен близкий к единице фактор заполнения.

 

DOI: 
10.18500/0869-6632-2018-26-2-59-68
Краткое содержание: