Известия высших учебных заведений

Прикладная нелинейная динамика

ISSN 0869-6632 (Print)
ISSN 2542-1905 (Online)


Для цитирования:

Усанов Д. А., Скрипаль А. В., Калинкин М. Ю. О причине размытия отдельных участков фазового портрета автодинного сигнала полупроводникового лазера при движении внешнего отражателя // Известия вузов. ПНД. 2000. Т. 8, вып. 1. С. 15-20. DOI: 10.18500/0869-6632-2000-8-1-15-20

Статья опубликована на условиях лицензии Creative Commons Attribution 4.0 International (CC-BY 4.0).
Полный текст в формате PDF(Ru):
(загрузок: 0)
Язык публикации: 
русский
Тип статьи: 
Научная статья
УДК: 
535;621.378.35

О причине размытия отдельных участков фазового портрета автодинного сигнала полупроводникового лазера при движении внешнего отражателя

Авторы: 
Усанов Дмитрий Александрович, Саратовский национальный исследовательский государственный университет имени Н.Г. Чернышевского (СГУ)
Скрипаль Анатолий Владимирович, Саратовский национальный исследовательский государственный университет имени Н.Г. Чернышевского (СГУ)
Калинкин Михаил Юрьевич, Саратовский национальный исследовательский государственный университет имени Н.Г. Чернышевского (СГУ)
Аннотация: 

На основе численного решения системы дифференциальных уравнений для полупроводникового лазера с вибрирующим внешним отражателем проведено моделирование экспериментально наблюдающегося размытия фазовых траекторий на отдельных участках. Установлена связь размытия траекторий с генерацией релаксационных колебаний на этих участках. Показано, что в режиме генерации релаксационных колебаний полупроводниковый лазер обладает высокой чувствительностью к флуктуациям параметров внешней оптической обратной связи и нестабильности источника питания.

Ключевые слова: 
Список источников: 
  1. Усанов Д.А., Скрипаль A.B., Калинкин М.Ю. Формирование автодинного сигнала в полупроводниковом лазере при движении внешнего отражателя // Изв. вузов. Прикладная нелинейная динамика. 1998. Т. 6, № 1. С. 3. 
  2. Скрипаль A.B., Усанов Д.А., Вагарин В.А., Калинкин М.Ю. Автодинное детектирование в полупроводниковом лазере при движении внешнего отражателя // ЖТФ. 1999. T. 69, вып.1. С. 72. 
  3. Lang R, Kobayashi K. External optical feedback effects on semiconductor injection laser properties. IEEE J. Quant. Electron. 1980;16(3):347–355. DOI: 10.1109/JQE.1980.1070479.
  4. Tromborg B, Osmundsen JH, Olesen H. Stability analysis for а semiconductor lasers in аn external cavity. IEEE J. Quant. Electron. 1984;20(9):1023–1032. DOI: 10.1109/JQE.1984.1072508.
  5. Osinski M, Buus J. Linewidth broadening factor in semiconductor lasers (аn overview). IEEE J. Quant. Electron. 1987;23(1):9–29. DOI: 10.1109/JQE.1987.1073204.
Поступила в редакцию: 
18.10.1999
Принята к публикации: 
01.12.1999
Опубликована: 
15.04.2000