Для цитирования:
Усанов Д. А., Скрипаль А. В., Калинкин М. Ю. О причине размытия отдельных участков фазового портрета автодинного сигнала полупроводникового лазера при движении внешнего отражателя // Известия вузов. ПНД. 2000. Т. 8, вып. 1. С. 15-20.
О причине размытия отдельных участков фазового портрета автодинного сигнала полупроводникового лазера при движении внешнего отражателя
На основе численного решения системы дифференциальных уравнений для полупроводникового лазера с вибрирующим внешним отражателем проведено моделирование экспериментально наблюдающегося размытия фазовых траекторий на отдельных участках. Установлена связь размытия траекторий с генерацией релаксационных колебаний на этих участках. Показано, что в режиме генерации релаксационных колебаний полупроводниковый лазер обладает высокой чувствительностью к флуктуациям параметров внешней оптической обратной связи и нестабильности источника питания.
- Усанов Д.А., Скрипаль A.B., Калинкин М.Ю. Формирование автодинного сигнала в полупроводниковом лазере при движении внешнего отражателя // Изв. вузов. Прикладная нелинейная динамика. 1998. Т. 6, № 1. С. 3.
- Скрипаль A.B., Усанов Д.А., Вагарин В.А., Калинкин М.Ю. Автодинное детектирование в полупроводниковом лазере при движении внешнего отражателя // ЖТФ. 1999. T. 69, вып.1. С. 72.
- Lang R, Kobayashi K. External optical feedback effects on semiconductor injection laser properties. IEEE J. Quant. Electron. 1980;16(3):347–355. DOI: 10.1109/JQE.1980.1070479.
- Tromborg B, Osmundsen JH, Olesen H. Stability analysis for а semiconductor lasers in аn external cavity. IEEE J. Quant. Electron. 1984;20(9):1023–1032. DOI: 10.1109/JQE.1984.1072508.
- Osinski M, Buus J. Linewidth broadening factor in semiconductor lasers (аn overview). IEEE J. Quant. Electron. 1987;23(1):9–29. DOI: 10.1109/JQE.1987.1073204.
- 77 просмотров