Для цитирования:
Усанов Д. А., Горбатов С. С., Кваско В. Ю. Формирование многодоменной пространственной структуры в арсенид-галлиевом диоде Ганна как нелинейный феномен // Известия вузов. ПНД. 2013. Т. 21, вып. 5. С. 51-59. DOI: 10.18500/0869-6632-2013-21-5-51-59
Статья опубликована на условиях лицензии Creative Commons Attribution 4.0 International (CC-BY 4.0).
Полный текст в формате PDF(Ru):
(загрузок: 158)
Язык публикации:
русский
Тип статьи:
Научная статья
УДК:
537.311.322
Формирование многодоменной пространственной структуры в арсенид-галлиевом диоде Ганна как нелинейный феномен
Авторы:
Усанов Дмитрий Александрович, Саратовский национальный исследовательский государственный университет имени Н.Г. Чернышевского (СГУ)
Горбатов Сергей Сергеевич, Саратовский национальный исследовательский государственный университет имени Н.Г. Чернышевского (СГУ)
Кваско Владимир Юрьевич, Саратовский национальный исследовательский государственный университет имени Н.Г. Чернышевского (СГУ)
Аннотация:
Проведены экспериментальные исследования с помощью ближнеполевого СВЧ-микроскопа стационарных распределений напряженности электрического поля и концентрации носителей заряда в диоде Ганна. Выполнен компьютерный расчет этих величин, с учетом зависимости подвижности и коэффициента диффузии электронов от напряженности электрического поля. Экспериментально обнаружена и подтверждена теоретически возможность существования многодоменного режима диодов Ганна.
Ключевые слова:
Список источников:
- Пат. 2373545 C1 Российская Федерация, МПК G01R27/26. Устройство для измерения параметров материалов / Д.А. Усанов, С.С. Горбатов, А.Н. Сорокин, В.Ю. Кваско; No 2008122332/28; заявл. 03.06.2008. опубл. 20.11.2009.
- Усанов Д.А. Горбатов С.С., Кваско В.Ю. Ближнеполевой СВЧ-микроскоп с низкоразмерным резонатором типа «индуктивная диафрагма–емкостная диафрагма» // Изв. вузов. Радиоэлектроника. 2010. Вып. 6. С. 66.
- Усанов Д.А., Горбатов С.С. Резонансы в волноводной системе «штырь с зазором–близкорасположенный поршень» // Изв. вузов. Радиоэлектроника. 2006. Т. 49, No 2. С. 27.
- Усанов Д.А., Горбатов С.С., Кваско В.Ю. Измерение подвижности и концентрации носителей заряда в арсенид-галлиевом диоде Ганна с помощью ближнеполевого СВЧ-микроскопа // Изв. вузов. Электроника. 2013. No 2 (100). С. 77.
- Murayama K., Ohmi T. Static negative resistance in highly doped Gunn diodes and application to switching and amplification // Japan J. Appl. Phys. 1973. Vol. 12, No 12. P. 1931.
- Барейкис В., Матулёнис А., Пожела Ю. и др. Электроны в полупроводниках. Вып.3. Диффузия горячих электронов / Под ред. Пожелы Ю. Вильнюс: Мокслас, 1981.
- Адирович Э.И., Карагеоргий-Алкалаев П.М., Леидерман А.Ю. Токи двойной инжекции в полупроводниках / Под ред. Е.И. Гальперина. М.: Сов. радио, 1978.
- Трубецков Д.И., Мчедлова Е.С., Красичков Л.В. Введение в теорию самоорганизации открытых систем. М.: Физматлит, 2002. 200 с.
Поступила в редакцию:
10.04.2013
Принята к публикации:
16.07.2013
Опубликована:
31.12.2013
Краткое содержание:
(загрузок: 82)
- 2110 просмотров