Известия высших учебных заведений

Прикладная нелинейная динамика

ISSN 0869-6632 (Print)
ISSN 2542-1905 (Online)

Для цитирования:

Усанов Д. А., Горбатов С. С., Кваско В. Ю., Фадеев А. В. Нелинейная динамика формирования пространственно-неоднородной структуры в p-i-n диоде // Известия вузов. ПНД. 2014. Т. 22, вып. 4. С. 91-99. DOI: 10.18500/0869-6632-2014-22-4-91-99

Статья опубликована на условиях лицензии Creative Commons Attribution 4.0 International (CC-BY 4.0).
Полный текст в формате PDF(Ru):
Иконка PDF fadeev_av_pnd_4_2014.pdf
(загрузок: 177)
Язык публикации: 
русский
Рубрика: 
Прикладные задачи нелинейной теории колебаний и волн
Тип статьи: 
Научная статья
УДК: 
537.311.322
DOI: 
10.18500/0869-6632-2014-22-4-91-99

Нелинейная динамика формирования пространственно-неоднородной структуры в p-i-n диоде

Авторы: 
Усанов Дмитрий Александрович, Саратовский национальный исследовательский государственный университет имени Н.Г. Чернышевского (СГУ)
Горбатов Сергей Сергеевич, Саратовский национальный исследовательский государственный университет имени Н.Г. Чернышевского (СГУ)
Кваско Владимир Юрьевич, Саратовский национальный исследовательский государственный университет имени Н.Г. Чернышевского (СГУ)
Фадеев Алексей Владимирович, Саратовский национальный исследовательский государственный университет имени Н.Г. Чернышевского (СГУ)
Аннотация: 

Приведены результаты экспериментальных исследований с помощью ближнеполевого сканирующего СВЧ микроскопа стационарных распределений напряженности электрического поля и концентрации носителей заряда в p-i-n диоде, а также выполнен численный расчет этих величин, с учетом зависимости подвижности и коэффициента диффузии электронов и дырок от напряженности электрического поля. Показано, что вблизи контактов распределение поля и проводимости носит характер чередующихся максимумов и минимумов.

Ключевые слова: 
Ближнеполевая СВЧ микроскопия
p-i-n диод
подвижность
коэффициент диффузии
Список источников: 
  1. Усанов Д.А., Горбатов С.С., Кваско В.Ю. Нелинейная динамика формирования доменной структуры в арсенид-галлиевом диоде Ганна // Изв. вузов. Прикладная нелинейная динамика. 2013. Т 21, No 5. С. 51.
  2. Адирович Э.И. Токи двойной инжекции в полупроводниках. М.: Сов. радио, 1978.
  3. Баранов Л.И., Гаманюк В.Б., Усанов Д.А. К теории p-n-n+ и p-n-m диодов // Радиотехника и электроника. 1972. No 11. С. 2409.
  4. Mayer J.W., Marsh O., Baron R. Double injection in long silicon p-i-n structures // J. Appl. Phys. 1968. Vol. 39, No 3. P. 1447.
  5. Баранов Л.И., Вагарин А.Ю., Гаманюк В.Б., Усанов Д.А. Отклонение от нейтральности в слоистых полупроводниковых структурах в результате двойной инжекции // Проблемы диэлектрической электроники. Ташкент, 1974. С. 499.
  6. Грибников З.С. Пространственные осцилляции электрического поля и концентрации носителей заряда при биполярном дрейфе в полупроводнике // ФТП. 1975. Т. 9, No 9. С. 1710.
  7. Усанов Д.А. Горбатов С.С., Кваско В.Ю. Ближнеполевой СВЧ-микроскоп с низкоразмерным резонатором типа «индуктивная диафрагма – емкостная диафрагма» // Известия высших учебных заведений. Радиоэлектроника. 2010. Вып. 6. С. 66.
  8. Пат. 2373545 С1 Российская Федерация, МПК G01R27/26. Устройство для измерения параметров материалов / Д.А. Усанов, С.С. Горбатов, А.Н. Сорокин, В.Ю. Кваско; No 2008122332/28; заявл. 03.06.2008. опубл. 20.11.2009.
  9. Конуэлл Э. Кинетические свойства полупроводников в сильных электрических полях/ Пер. с англ. А.Ф. Волкова и А.Я. Шульмана. М.: Мир, 1970.
  10. Барейкис В. Электроны в полупроводниках. Вып. 3. Диффузия горячих электронов / Под ред. Ю. Пожелы. Вильнюс: Мокслас, 1981. 212 c.
  11. Роуз А. Основы теории фотопроводимости / Пер. с англ. А.А. Рогачева и Р.Ю. Хансеварова. М.: Мир, 1966.
  12. Трубецков Д.И., Мчедлова Е.С., Красичков Л.В. Введение в теорию самоорганизации открытых систем. М.: Физматлит, 2002.
Поступила в редакцию: 
27.04.2014
Принята к публикации: 
27.04.2014
Опубликована: 
31.12.2014
Краткое содержание:
Иконка PDF a2014no4p091.doc_.pdf
(загрузок: 105)
  • 2004 просмотра