Известия высших учебных заведений

Прикладная нелинейная динамика

ISSN 0869-6632 (Print)
ISSN 2542-1905 (Online)


Для цитирования:

Роках А. Г., Стецюра С. В., Сердобинцев А. А., Жуков А. Г. О вторично-ионном фотоэффекте // Известия вузов. ПНД. 2006. Т. 14, вып. 1. С. 113-119. DOI: 10.18500/0869-6632-2006-14-1-113-119

Статья опубликована на условиях лицензии Creative Commons Attribution 4.0 International (CC-BY 4.0).
Полный текст в формате PDF(Ru):
(загрузок: 66)
Язык публикации: 
русский
Тип статьи: 
Научная статья
УДК: 
621.382; 539.21

О вторично-ионном фотоэффекте

Авторы: 
Роках Александр Григорьевич, Саратовский национальный исследовательский государственный университет имени Н.Г. Чернышевского
Стецюра Светлана Викторовна, Саратовский национальный исследовательский государственный университет имени Н.Г. Чернышевского
Сердобинцев Алексей Александрович, Саратовский национальный исследовательский государственный университет имени Н.Г. Чернышевского
Жуков Александр Георгиевич, Саратовский национальный исследовательский государственный университет имени Н.Г. Чернышевского
Аннотация: 

Показано, что в процессе ионной бомбардировки освещение может изменять выход вторичных ионов из фоточувствительных полупроводников (вторично-ионный фотоэффект). Дана классификация наблюдаемого явления по реакции на освещение: определены нормальный и аномальный вторично-ионные фотоэффекты. Нормальный фотоэффект проявляется в уменьшении выхода положительных вторичных ионов кадмия при освещении мишени CdS-PbS в результате уменьшения работы выхода электрона. Аномальный эффект заключается в увеличении при освещении выхода положительных вторичных ионов свинца из той же мишени (до 1200% по отношению к темновому). Предложено объяснение аномального эффекта, основанное на увеличении при освещении скорости рекомбинации неравновесных носителей заряда в узкозонных включениях. Приведена аппроксимация зависимости выхода ионов от изменения электронной работы выхода на основе предположения, что изменение определяется смещением электронного квази-уровня Ферми в результате освещения.

Ключевые слова: 
Список источников: 
  1. Гладун А.Д., Барашев П.П. Внешний многоквантовый эффект // УФН. 1969. Т. 98, вып. 3. С. 493.
  2. Щемелев В.Н., Савинов Е.П., Щемелев В.В. Внешний фотоэффект эффективных фотокатодов в мягкой рентгеновской области спектра // ФТТ. 1997. Т. 39, вып. 9.
  3. Роках А.Г., Стецюра С.В., Жуков А.Г., Сердобинцев А.А. Исследование особенностей ионного травления гетерофазных полупроводников при освещении белым светом // Письма в ЖТФ. 2003. Т. 29, вып. 2. С. 23.
  4. Rokakh A.G., Zhukov A.G., Stetsura S.V. and Serdobintsev A. A. Secondary-ion mass spectrometry of photosensitive heterophase semiconductor // Nuclear Inst. and Methods in Physics Research. B. 2004. Vol. 226, No 4. P. 595.
  5. Calawa A.R., Mroczkowski I.A., Harman T.C. Preparation and properties of Pb1−xCdxS// J. Electron. Mater. 1972. Vol. 1. P. 191.
  6. Распыление под действием бомбардировки частицами / Под ред. Р. Бериша и К. Виттмака. Пер. с англ. М.: Мир, 1998. 552 с.
  7. Yu M. L., Lang N. D. Direct evidence of electron tunneling on the ionization of sputtered atoms // Phys. Rev. Lett. 1983. Vol. 50. P. 127.
  8. Bleil C.E., Snejder D.D. and Sihvonen Y.T. Bombardment of Cadmium Sulfide crystals with 30-60 keV electrons // Phys. Rev. 1958. Vol. 111, No6. P. 1522.
  9. Роках А. Г. Варизонная модель полупроводника, стойкого к деградации // Письма в ЖТФ. 1984. Т. 10, No13. С. 820.
  10. Роках А. Г., Стецюра С. В. Влияние неоднородностей на фотоэлектрические характеристики гетерофазных пленок системы CdSxSe1−x − PbS// Изв. АН СССР. Неорг. мат. 1997. Т. 33, №2. С. 198.
Поступила в редакцию: 
19.10.2005
Принята к публикации: 
19.10.2005
Опубликована: 
28.04.2006
Краткое содержание:
(загрузок: 41)