Известия высших учебных заведений

Прикладная нелинейная динамика

ISSN 0869-6632 (Print)
ISSN 2542-1905 (Online)


Для цитирования:

Панкратов Е. Л. Время установления распределения примеси в неоднородной среде с переменным во времени коэффициентом диффузии // Известия вузов. ПНД. 2004. Т. 12, вып. 3. С. 35-44. DOI: 10.18500/0869-6632-2004-12-3-35-44

Статья опубликована на условиях лицензии Creative Commons Attribution 4.0 International (CC-BY 4.0).
Полный текст в формате PDF(Ru):
(загрузок: 0)
Язык публикации: 
русский
Тип статьи: 
Научная статья
УДК: 
539.219.3:669

Время установления распределения примеси в неоднородной среде с переменным во времени коэффициентом диффузии

Авторы: 
Панкратов Евгений Леонидович, Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет имени Н. И. Лобачевского (ННГУ)
Аннотация: 

В работе проводится анализ динамики процесса диффузии примеси в неоднородной среде с переменным во времени коэффициентом диффузии. В работе получены требования к пространственной структуре и закону изменения во времени коэффициента диффузии среды, при которых происходит наибольшее ускорение или замедление диффузии примеси.

Ключевые слова: 
Благодарности: 
Данная работа поддержана грантами РФФИ (№ 02-02-17517), НШ1729.2003.2 и INTAS № 2001-0450.
Список источников: 

1. Степаненко И.П. Основы микроэлектроники. M.: Советское радио, 1980.
2. Тугов Н.М., Глебов Б.А., Чарыков Н.А. Полупроводниковые приборы. М.: Энергоатомиздат, 1990.
3. Шишияну С.Т., Шишияну T.C., Райлян С.К. Мелкие p-n-переходы в Si, изготовленные методом импульсного фотонного отжига // ФТП. 2002. Т. 36, № 5. С. 611.
4. Ваулина О.С. Диффузия макрочастиц и критерий фазовых переходов для пылевых структур в слабоионизированной плазме // ЖЭТФ. 2002. T. 121, № 1. С. 35.
5. Зон Б.А., Ледовский С.Б., Лихолет А.Н. Ускорение диффузии примеси в твердом теле гетерогенной реакцией на его поверхности // ЖТФ. 2000. Т. 70, № 4. C.38.
6. Долбак A.E., Жачук Р.А., Ольшанецкий Б.А. Механизм диффузии Cu вдоль поверхности Si(110) // ФТП. 2002. Т. 36, № 9. С. 1031.
7. Coffey V.T., Crothers D.S.F., Kalmykov Yu.P. Effect of uniform bias force of the Brownian movement in double-well potential // Phys. Rev. Е. 1997. Vol. 55, № 4. Р. 4812.
8. Дубков А.А., Мальцев A A., Панкратов Е.Л. Эффективное время установления концентрации вещества в среде со слабо неоднородным коэффициентом диффузии // ЖТФ. 2002. Т. 72, № 11. С.14.
9. Малахов А.Н., Панкратов E.Л. Время установления концентрации вещества в среде с произвольно меняющимися в пространстве коэффициентом диффузии и потенциалом // Известия вузов. Радиофизика. 2001. Т. 44, № 4. С. 367.
10. Мальцев A.A., Панкратов Е.Л. Эффективное время установления концентрации вещества в среде со слабо неоднородным коэффициентом диффузии  // Труды 5-й научной конференции по радиофизике / Ред. А.В. Якимов. Нижний Новгород: ННГУ, 2001. С. 211.
11. Панкратов E.Л. Ускорение и замедление диффузии в среде путем временной модуляции коэффициента диффузии // Известия вузов. ПНД. 2003. Т. 1, № 2. С. 96.
12. Корн Г., Корн Т. Справочник по математике. М.: Наука, 1977.
13. Malakhov A.N., Pankratov A.L. Evolution times of probability distribution and averages-exact solutions of the Kramers’ problem //Adv. in Chem. Phys. 2002. Vol. 121. P. 356.
14. Zhang A.P., Dang G.T., Ren F. et al. Direct-current characteristics of pnp AlGaN/GaN heterojunction bipolar transistor // Appl. Phys. Let. 2000. Vol. 76, № 20. P. 2943.
15. Гоноровский И.С. Радиотехнические цепи и сигналы. М.: Наука, 1977.
16. Gillin W.P., and Dunstan D.J. Strain and interdiffusion in semiconductor heterostructure // Phys. Rev. B. 1994. Vol. 50, № 11. P. 7495.

Поступила в редакцию: 
22.12.2003
Принята к публикации: 
11.03.2004
Опубликована: 
23.12.2004