Для цитирования:
Санин А. Л., Ермолаев Ю. Л. Реконструкция структур тока при рассеянии электронов на ионизованных донорах и фононах в неоднородном полупроводнике // Известия вузов. ПНД. 1995. Т. 3, вып. 5. С. 55-64.
Реконструкция структур тока при рассеянии электронов на ионизованных донорах и фононах в неоднородном полупроводнике
На основе моментов уравнения Больцмана проведен анализ электронного отклика в GaAs n-типа с пространственно-периодической модуляцией плотности доноров. При определенном соотношении периодов модуляции и собственных колебаний возможны интенсивные пространственные резонансы. Выполнены численные расчеты, показывающие влияние различных механизмов рассеяния и их совместного действия на резонансы. При пороговых условиях доминирует механизм взаимодействия с продольными оптическими фононами, действующий в пределах части периода, и происходит ограничение амплитуды пространственных колебаний. Проанализирована генерация субгармоник и высших гармоник, характеризующая нелинейную динамику электронов. Модуляция синхронизирует процессы формирования структур и приводит к ‘их реконструкции. Мелкомасштабные релаксационные колебания при слабых неоднородностях стохастизуют структуры тока. Представлены функциональные зависимости электронной плотности от координаты, фазовые портреты и фурье-спектры моделируемых процессов.
- Ермолаев Ю.Л., Санин. А.Л. ‚ Электронная синергетика. Л., ‚1989. 250 с.
- Санин A.Л., Ермолаев Ю.Л., Мизандронцев Д.Б. // Изв. вузов. Прикладная нелинейная динамика. 1993. T. 1, № 1-2. С. 102.
- Cheng MC, Huang L. A novel approach to a transport model for ultra‐small‐scale compound semiconductor devices. J. Appl. Phys. 1992;72(8):3539-3549. DOI: 10.1063/1.352341.
- Barunger H, Wilkins J. Ballistic structure in the electron distribution function of small semiconducting structures: General features and specific trends. Phys. Rev. В. 1987;36(3):1487-1502. DOI: 10.1103/PhysRevB.36.1487.
- Krowne CM, Blakey РА. On the existence of submillimeter‐wave negative conductance in n‐gallium arsenide diodes. J. Appl. Phys. 1987;61(6):2257-2266. DOI: 10.1063/1.337987.
- Blotekjar K. Transport Equations for Electrons in Two-Valley Semiconductors. IEEE Trans. Electron Devices. 1970;17(1):38-47. DOI: 10.1109/T-ED.1970.16921.
- Grubin HL, Kreskovsky JR. Quantum moment balance equations and resonant tunnelling structures. Sol. St. Electron. 1989;32(12):1071-1075. DOI: 10.1016/0038-1101(89)90192-5.
- Zhou JR, Ferry DK. Simulation of ultra-small GaAs MESFET using quantum moment equations. IEEE Trans. Electron Devices. 1992;39(3):473-478. DOI: 10.1109/16.123465.
- Конуэлл Э. // Кинетические свойства полупроводников в сильных электрических полях. M., 1970.
- Кокин A.A., Толстихин. В.И. // Микроэлектроника. 1984. T. 13. Р. 24.
- Hinata S. Dynamics of electrons accelerated by strong uniform or weakly inhomogeneous electric fields in the presence of phonons. J. Appl. Phys. 1990;68:5205-5211. DOI: 10.1063/1.347063.
- Jalabert R, Das Sarma S. Inelastic scattering effects on carrier relaxation in quantum well-based hot electron structures. Sol. St. Electron. 1989;32(12):1259-1263. DOI: 10.1016/0038-1101(89)90224-4.
- 100 просмотров