На основе моментов уравнения Больцмана проведен анализ электронного отклика в GaAs n-типа с пространственно-периодической модуляцией плотности доноров. При определенном соотношении периодов модуляции и собственных колебаний возможны интенсивные пространственные резонансы. Выполнены численные расчеты, показывающие влияние различных механизмов рассеяния и их совместного действия на резонансы. При пороговых условиях доминирует механизм взаимодействия с продольными оптическими фононами, действующий в пределах части периода, и происходит ограничение амплитуды пространственных колебаний. Проанализирована генерация субгармоник и высших гармоник, характеризующая нелинейную динамику электронов. Модуляция синхронизирует процессы формирования структур и приводит к ‘их реконструкции. Мелкомасштабные релаксационные колебания при слабых неоднородностях стохастизуют структуры тока. Представлены функциональные зависимости электронной плотности от координаты, фазовые портреты и фурье-спектры моделируемых процессов.